Пластическая деформация кристаллов Fz — 29Si, обогащенных магнитным изотопом 29Si, вызывает перераспре- деление атомов 29Si и комплексов 29Si16О в поверхностных областях кристалла. Перераспределение магнитного изото- па хорошо коррелирует с плотностью дислокаций, вносимых пластической деформацией. Окисление кремния в отсут- ствие магнитного поля не происходит из-за строгого запрета, обеспечивающего полное сохранение момента в элек- тронной паре Si — O. Наличие ядерного спина 29Si в парах Si — O позволяет изменить начальное триплетное состоя- ние электронной пары Si — O в синглетное состояние и открывает возможность для образования стабильного оксида SiO. Данное элементарное событие окисления интерпретировано в терминах квантовых вычислений соответственно с квантовым затвором CNOT, эквивалентным преобразованию триплетного состояния в синглетное, и последующим считыванием сохраненной квантовой информации как логической «1» в появившемся комплексе SiO или логическим «0» в разорванной паре Si — O.