Многослойные тонкопленочные структуры (In2O3/SiO2)25, состоящие из чередующихся слоев нанокристалличе- ского In2O3 и аморфного SiO2, получены ионно-лучевым напылением. Толщина полученных образцов изменялась от 138 до 200 нм. С увеличением толщины бислоя In2O3/SiO2 от 5,5 до 8 нм наблюдается монотонное снижение удельно- го электрического сопротивления с 8,89·10–2 до 1,40·10–2 Ом·см, что связано с увеличением вклада в электроперенос слоев In2O3 и уменьшением влияния рассеяния носителей заряда на границах раздела In2O3 – SiO2. Из анализа темпе- ратурных зависимостей удельного электрического сопротивления в интервале температур 77…300 K установлено, что 150 K наблюдается логарифмическая зависимость, что связывается с наличием квантовых поправок на электрическую проводимость (слабой локализации носителей заряда), выше 150 K электроперенос осуществляется делокализованными носителями заряда. Установлено, что после термической обработки в вакууме PОСТ = 5·10–2 Торр многослойная структура тонких пленок (In2O3/SiO2)25 сохраняется вплоть до температуры 500 °С. При этом средний размер кристаллитов In2O3 не превышает эквивалентной толщины бислоя, а слои SiO2 остаются в аморфном состоянии. Величина удельного электрического сопротивления после термической обработки уменьшается до величины ρ ~ (2 … 4)×10–3 Ом·см при комнатной температуре. По результатам проведенных исследований сделан вывод о возможности использования син- тезированных пленок (In2O3/SiO2)25 троники.