Представлены результаты квантово-химического моделирования структурных и электронных состояний комплексных дефектов «бор + вакансия» на гидрированной и чистой поверхности алмаза, при вариации положения BV комплексов в верхних шести приповерхностных слоях. Рассмотрены нейтральные, положительные и отрицательно заряженные состояния комплексов. Для третьего и четвертого слоев рассматривались два различных положения примесного и собственного дефектов в составе BV комплекса: под димерным рядом и в междурядье. Проанализировано влияние пассивации поверхности на положение BV комплексов на энергетической шкале. Обнаружено, что гидрирование поверхности приводит к изменению конфигурации наиболее стабильного BV комплекса. Показано, что формирование локальной графитоподобной структуры с π-сопряжением является основным стабилизирующим фактором для рассмотренных дефектных структур, независимо от рассмотренного зарядового состояния. Обнаружено, что распределение спиновой плотности большинства исследованных отрицательных BV– комплексов, находящихся непосредственно в приповерхностных слоях чистой и гидрированной поверхности, подобны спиновым свойствам комплексов в объеме алмаза.