Методами квантовой химии получена верхняя оценка активационного барьера Еа, преодолеваемого атомом бора при его адсорбции на сингулярной грани нелегированного алмаза. Этот процесс связан с формированием дырочного δ-слоя, легированного бором в толще нелегированного алмаза и являющегося неотъемлемой частью алмазного транзистора. Найденная оценка величины Еа составила примерно 6…7 эВ. Она соответствует по порядку величины плавающему приэлектродному падению потенциала электрода-подложки относительно стационарной низкотемпературной плазмы при электронной температуре свыше ~ 1 эВ. Между тем в существующей технологии CVD, усиленного высокочастотной плазмой (MWCVD) и используемого для создания легированных бором δ-слоев, источником роста δ-слоя являются высокоэнергетичные ионы бора с энергией в сотни эВ (и даже единицы кэВ), поступающие на подложку из высокочастотной плазмы. Столь высокая энергия ионов бора, набираемая ими на приэлектродном падении напряжения, явно избыточна и приводит как к чрезмерно большой глубине проникновения ионов в алмаз, так и большому разбросу этой глубины. Это снижает качество δ-слоя и эффективность транзистора как целого. Cпецифика высокочастотной плазмы, создаваемой в СВЧ-резонаторе для роста алмаза, допускает реализацию режимов работы установки и роста алмаза как с большими (единицы кэВ), так и малыми (единицы эВ) приэлектродными падениями напряжения. В работе рассматривается возможность переключения между этими двумя режимами. Режим с большим падением реализует быстрый рост нелегированного алмаза, режим с малым падением – δ-слой высокого качества.