Рассмотрены результаты исследований кинетики роста нитевидных нанокристаллов полупроводников. Показано, что в современных исследованиях недостаточно изучены физические механизмы, управляющие скоростью роста таких кристаллов, а сведения о кинетике их роста остаются неопределенными и противоречивыми. Проанализированы существующие представления о диффузионном характере убывающей зависимости скорости роста нитевидных нанокристаллов Si, Ge, GaAs, GaN, InAs и др. от их радиуса. Приведены новые полученные результаты для кинетики роста нитевидных нанокристаллов кремния. Показано, что увеличение скорости роста нанокристаллов с уменьшением их поперечных размеров связано с влиянием не диффузионного, а термодинамического фактора, обуславливающего снижение равновесной растворимости кристаллизуемого вещества в жидкофазных каплях металла-катализатора с увеличением дисперсности катализатора. При этом в качестве лимитирующей стадии выступает стадия кристаллизации на границе кристалл / жидкость под каплей жидкофазного металла-катализатора. Получено уравнение, описывающее зависимость длины нитевидного нанокристалла от радиуса в условиях влияния термодинамического фактора. Даны рекомендации по интенсификации процессов роста нитевидных нанокристаллов полупроводниковых материалов в экзотермическом процессе реакции кристаллизации.