Аннотация: Электрохимическое формирование покрытий прозрачных полупроводниковых оксидов на основе цинкита – привлекательный универсальный и легкомасштабируемый метод, который является многообещающим для оптоэлектроники и химических сенсоров. Сложность в формировании покрытий на основе оксида цинка и легированных составов, таких как ZnO(Al), путем электрохимического соосаждения производных цинка и алюминия в водных средах связана с различием окислительно-восстановительных потенциалов двух металлов и формированием гальванических осадков гидратированных оксидов цинка и алюминия. Применение неводных сред в роли электролитов цинкования может позволить сформировать биметаллический осадок для последующего контролируемого окисления до оксида (AZO). В рамках данной статьи в роли растворителя выступал диметилсульфоксид (ДМСО). Показано, что особенности нуклеации и роста фазы цинкита в электролитах на основе ДМСО приводят к образованию значительно более пористых покрытий металлического цинка, окисляемого в дальнейшем до цинкита, по сравнению с процессами вводных электролитах. Оптимизированы составы неводных электролитов и потенциалы формирования пленок в потенциостатическом режиме. Изучены корреляции микроструктуры и элементного состава от условий протекания гальванического процесса. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показано присутствие алюминия на поверхности образцов в двух различных валентных состояниях, что может быть следствием дефектности структуры вюрцита и присутствием фазы γ-Al2O3 – вероятного продукта сегрегации. Показано, что предложенный синтетический подход может быть перспективен для направленного формирования пористых тонкостенных покрытий цинкита с варьируемой степенью дефектности структуры.