Исследованы C–V (g–V) характеристики тонкопленочной структуры металл – ферроэлектрик – металл (m–f–m) с параэлектрической фазой ферроэлектрика и высокой концентрацией кислородных вакансий в межфазных областях контактов металл–ферроэлектрик. Предполагается, что данные вакансии создают уровни электронных ловушек в запрещенной зоне ферроэлектрика. Учитывается нелинейная зависимость диэлектрической проницаемости от приложенного электрического поля. Предполагается, что с увеличением приложенного электрического поля уровни прилипания (захвата), создаваемые кислородными вакансиями, ионизируются за счет эмиссии электронов механизмом Пула–Френкеля. На основе этих предположений получены аналитические выражения для зависимостей C–V, g–V и тангенса угла потерь, зависящих от смещения. Все зависимости хорошо согласуются с экспериментальными результатами.