Информация о статье

Название статьи

C–V (g–V) характеристики тонкопленочных структур M–BaxSr1–xTiO3–M с кислородными вакансиями

Авторы

В. Буниатян 1, В. Бегоян 2, А. Давтян 3, Ю. М. Шульга 4, П. Аветисян 5

Выпуск

1 (2019)

Ключевые слова

Ферроэлектрик, уровень захвата/освобождения, эмиссия Пула–Френкеля.

Аннотация

Исследованы C–V (g–V) характеристики тонкопленочной структуры металл – ферроэлектрик – металл (m–f–m) с параэлектрической фазой ферроэлектрика и высокой концентрацией кислородных вакансий в межфазных областях контактов металл–ферроэлектрик. Предполагается, что данные вакансии создают уровни электронных ловушек в запрещенной зоне ферроэлектрика. Учитывается нелинейная зависимость диэлектрической проницаемости от приложенного электрического поля. Предполагается, что с увеличением приложенного электрического поля уровни прилипания (захвата), создаваемые кислородными вакансиями, ионизируются за счет эмиссии электронов механизмом Пула–Френкеля. На основе этих предположений получены аналитические выражения для зависимостей C–V, g–V и тангенса угла потерь, зависящих от смещения. Все зависимости хорошо согласуются с экспериментальными результатами.

Как цитировать статью

Буниатян В. и соавт. CV (gV) характеристики тонкопленочных структур m-bax Sr1-xTiO3-M с кислородными вакансиями // Advanced Materials & Technologies. - 2019. - №. 1.

Скачать PDF

(всего загрузок:153)

DOI:

https://doi.org/DOI: 10.17277/amt.2019.01.pp.035-044

🗏

035-044

Просмотров:

395